型号: IXTH28N50Q
功能描述: MOSFET 28 Amps 500 V 0.20 W Rds
制造商: IXYS
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 500 V
闸/源击穿电压： +/- 30 V
漏极连续电流： 28 A
导通电阻： 200 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 150 C
安装风格： Through Hole
封装 / 箱体： TO-247AD
封装： Tube
商标： IXYS
下降时间： 12 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 400 W
上升时间： 20 ns
系列： IXTH28N50
工厂包装数量： 30
典型关闭延迟时间： 51 ns
单位重量： 6.500 g
ROHS： 无铅
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