型号: IXTP1R4N60P
功能描述: N-Channel 600 V 9 Ohm Enhancement Mode Power MOSFET - TO-220AB
制造商: IXYS
系列： PolarHV™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 1.4A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5.5V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 5.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 140pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 50W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 9 欧姆 @ 700mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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