型号:  IXTQ48N20T

功能描述:  MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-3P-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  48 A

Rds On-漏源导通电阻:  50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  60 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  250 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

高度:  20.3 mm

长度:  15.8 mm

系列:  IXTQ48N20

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Trench Power MOSFET

宽度:  4.9 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  26 S

下降时间:  28 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  26 ns

工厂包装数量:  30

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  46 ns

典型接通延迟时间:  20 ns

单位重量:  5.500 g