型号: IXTR68P20T
功能描述: DISCMSFT PCHAN-TRENCH GATE ISOPL
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 64 毫欧 @ 34A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 380nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 33400pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 270W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: ISOPLUS247™
封装/外壳: ISOPLUS247™
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：吴珊
Q Q:
联系人：杨柳
Q Q:
联系人：宁佐彪
电话：13437393817
Q Q:
