型号: IXTY1N80P-TRL
功能描述: IXTY1N80P TRL
制造商: IXYS
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 14 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 9nC @ 10V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 250pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 42W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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