型号: KSD261CGTA_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200 at 0.1 A at 1 V
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
封装: Ammo
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.5 W
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：苏生
电话：14707548027
Q Q:
联系人：方萍娟
电话：13631525115
Q Q:
联系人：蔡雪颖
电话：13798628598
Q Q:
