型号: LNC06R062
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 6.2mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 120W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈生
电话：13537702078
Q Q:
联系人：唐女士
电话：19902921979
Q Q:
联系人：李锦
电话：028-86519933
Q Q:
联系人：陈
Q Q:
