型号: MJD112
功能描述: Complementary Darlington Power Transistors
制造商: ON Semiconductor
产品种类: Transistors Darlington
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
最大直流电集电极电流: 2 A
最大集电极截止电流: 20 uA
功率耗散: 20 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
封装: Tube
集电极连续电流: 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200, 500, 1000
最小工作温度: - 65 C
工厂包装数量: 75
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