型号: MMBFJ177LT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET类型： P 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）： 30V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）： 1.5mA @ 15V
不同Id时的电压-截止（VGS关）： 800mV @ 10nA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 11pF @ 10V（VGS）
电阻-RDS（开）： 300 欧姆
功率-最大值： 225mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-3（TO-236）
RoHS： 符合 RoHS
Vgs - 闸极-源极击穿电压： 30 V
标准包装数量： 3000
系列： MMBFJ177L
配置： Single
Vgs=0 时的漏极-源极电流： 1.5 mA to 20 mA
品牌： ON Semiconductor
安装风格： SMD/SMT
封装/外壳： Reel
晶体管极性： P-Channel
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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