型号: MMIX1F520N075T2
功能描述: MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SMPD-24
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 500 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 545 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 830 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 5.7 mm
长度: 25.25 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 19.3 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 95 S
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 36 ns
工厂包装数量: 20
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
单位重量: 8 g
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