型号: MMRF5014H-500MHZ
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: P-Channel
技术: GaN SiC
Id-连续漏极电流: 350 mA
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
增益: 18 dB
输出功率: 125 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-360H-2SB
工作频率: 1 MHz to 2700 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 232 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, 0 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.3 V
零件号别名: 935345452598
单位重量: 500 mg
联系人：Alien
Q Q:
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