型号:  MRF1518NT1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  4 A

Vds-漏源极击穿电压:  40 V

增益:  13 dB

输出功率:  8 W

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PLD-1.5

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

高度:  1.83 mm

长度:  6.73 mm

工作频率:  520 MHz

系列:  MRF1518NT1

类型:  RF Power MOSFET

宽度:  5.97 mm

商标:  NXP / Freescale

通道模式:  Enhancement

湿度敏感性:  Yes

Pd-功率耗散:  62.5 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.6 V

零件号别名:  935309516515

单位重量:  280 mg