型号: MRF21125SR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANS
制造商: Freescale Semiconductor
制造商: Freescale Semiconductor
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : - 0.5 V, + 15 V
增益: 13 dB
输出功率: 20 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-880S-3
封装: Reel
商标: Freescale Semiconductor
工作频率: 2.11 GHz to 2.17 GHz
Pd-功率耗散: 330 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：赵
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Q Q:
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联系人：蔡经理，张小姐
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联系人：林生
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Q Q:
