型号: MRF6VP3091NBR1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 115 V
增益: 21.8 dB
输出功率: 18 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-272
封装: Reel
配置: Dual
工作频率: 0.47 GHz to 0.86 GHz
系列: MRF6VP3091N
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
零件号别名: 935319809528
单位重量: 2 g
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