型号: NDD02N60ZT4G/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
制造商: on semiconductor
包装： 3DPAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 600 V
最大连续漏极电流： 2.2 A
RDS -于： 4800@10V mOhm
最大门源电压： 30 V
典型导通延迟时间： 9 ns
典型上升时间： 7 ns
典型关闭延迟时间： 15 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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