型号: NDH8321C
功能描述: Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: +/- 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: + 3.8 A, - 2.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.029 Ohms
配置: Dual Dual Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-8
封装: Reel
下降时间: 22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.8 W
上升时间: 22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 48 ns at N Channel, 78 ns at P Channel
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