型号: NE3512S02-T1D-A
功能描述: 射频JFET晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
制造商: CEL
产品种类： 射频JFET晶体管
类型： GaAs HEMT
正向跨导 - 最小值： 55 mS
漏源电压 VDS： 4 V
闸/源击穿电压： - 3 V
漏极连续电流： 70 mA
频率： 12 GHz
增益： 13.5 dB
功率耗散： 165 mW
最大工作温度： + 125 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： S0-2
封装： Reel
商标： CEL
噪声系数： 0.35 dB
产品： RF JFET
工厂包装数量： 10000
ROHS： 无铅
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李辉
电话：18118773952
Q Q:
联系人：林
电话：15002093329
Q Q:
联系人：廖
电话：15913959832
Q Q:
