型号: NE3514S02-T1D-A
功能描述: 射频JFET晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
制造商: CEL
产品种类: 射频JFET晶体管
类型: GaAs HEMT
正向跨导 - 最小值: 55 mS
漏源电压 VDS: 4 V
闸/源击穿电压: - 3 V
漏极连续电流: 70 mA
频率: 20 GHz
增益: 10 dB
功率耗散: 165 mW
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: S0-2
封装: Reel
商标: CEL
噪声系数: 0.75 dB
产品: RF JFET
工厂包装数量: 10000
ROHS: 无铅
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