型号: NE3514S02-T1D-A
功能描述: 射频JFET晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
制造商: CEL
产品种类： 射频JFET晶体管
类型： GaAs HEMT
正向跨导 - 最小值： 55 mS
漏源电压 VDS： 4 V
闸/源击穿电压： - 3 V
漏极连续电流： 70 mA
频率： 20 GHz
增益： 10 dB
功率耗散： 165 mW
最大工作温度： + 125 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： S0-2
封装： Reel
商标： CEL
噪声系数： 0.75 dB
产品： RF JFET
工厂包装数量： 10000
ROHS： 无铅
联系人：Alien
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