型号: NE650103M
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 否
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
增益: 11 dB
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 18 V
Id-连续漏极电流: 7 A
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 33 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 3M
商标: CEL
工作频率: 2.3 GHz
P1dB - 压缩点: 40 dBm
工厂包装数量: 10
联系人：傅小姐
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