型号: NE8500199
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1W C Band MESFET
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 否
商标: CEL
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
增益: 9 dB
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 12 V
Id-连续漏极电流: 825 mA
最大工作温度: + 130 C
Pd-功率耗散: 6 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CHIP
封装: Bulk
正向跨导 - 最小值: 300 mS
工作频率: 7.2 GHz
P1dB - 压缩点: 29.5 dBm
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