型号:  NJVMJD42CT4G

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON Pwr TRANSISTOR

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DPAK-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  100 V

集电极—基极电压 VCBO:  100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

最大直流电集电极电流:  6 A

增益带宽产品fT:  3 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  MJD42C

直流电流增益 hFE 最大值:  30 at 300 mA, 4 V

高度:  2.38 mm

长度:  6.73 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  6.22 mm

商标:  ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:  30

Pd-功率耗散:  1750 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

资格:  AEC-Q101

工厂包装数量:  2500

子类别:  Transistors

零件号别名:  NJVMJD42CT4G-VF01

单位重量:  350 mg