型号: NPT1012B
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
制造商: MACOM
制造商: MACOM
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN Si
增益: 13 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 3 V
Id-连续漏极电流: 4 mA
最大工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 44 W
安装风格: Screw Mount
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 4 GHz
商标: MACOM
P1dB - 压缩点: 43 dBm
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 440 mOhms
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.8 V
单位重量: 220 mg
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