型号: NSV12100UW3TCG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 1A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 12V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 440mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 500mA，2V
功率 - 最大值： 740mW
频率 - 跃迁： 200MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 3-WDFN（2x2）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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