型号: NSVBC848BWT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
电流-集电极（Ic）（最大值）： 100mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 600mV @ 5mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 200 @ 2mA，5V
功率-最大值： 200mW
频率-跃迁： 100MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-70-3（SOT323）
封装形式Package： SC-70
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 0.1A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 30V
无铅情况/RoHs： 否
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
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Q Q:
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Q Q:
