型号: NSVBC848BWT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
电流-集电极（Ic）（最大值）： 100mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 600mV @ 5mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 200 @ 2mA，5V
功率-最大值： 200mW
频率-跃迁： 100MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-70-3（SOT323）
封装形式Package： SC-70
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 0.1A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 30V
无铅情况/RoHs： 否
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13243798449
Q Q:
联系人：李重金
电话：13110803697
Q Q:
