型号: NSVMUN5135DW1T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1): 2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2): 47 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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