型号: NTD4965N-1G
功能描述: MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 17.8 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 4.7 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 17.2 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 38.5 W
安装风格: Th b28 rough Hole
封装 / 箱体: IPAK-3
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 52 S
最小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 75
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：刘先生
Q Q:
联系人：张顺方
电话：15099977019
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
