型号:  NTJD4105CT1G

功能描述:  MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V, 8 V

Id-连续漏极电流:  630 mA, - 775 mA

Rds On-漏源导通电阻:  375 mOhms, 900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  600 mV, 450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V, - 1.8 V

Qg-栅极电荷:  1.3 nC, 2.2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  0.55 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTJD4105C

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  1.25 mm

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  2 S, 2 S

下降时间:  506 ns, 36 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  227 ns, 23 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  786 ns, 50 ns

典型接通延迟时间:  83 ns, 13 ns

单位重量:  7.500 mg