型号:  NTLGD3502NT2G

功能描述:  MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  4.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.74 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.87 mm

长度:  3 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTLGD3502N

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3 mm

商标:  ON Semiconductor

下降时间:  17.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  17.5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  8.6 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

单位重量:  21.100 mg