型号: NTLLD4901NFTWG
功能描述: Dual N-Channel 30 V 17.4 mO 6.5 nC Power Mosfet with Schottky - WDFN-8
制造商: ON Semiconductor
FET类型： 2 个 N 沟道（双）
FET功能： 逻辑电平门
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 5.5A，6.3A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 17.4 毫欧 @ 9A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 12nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 605pF @ 15V
功率-最大值： 800mW，810mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-WDFN（3x3）
封装形式Package： WDFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 11A/13A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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