型号: NTMD6N04R2G/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 40V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
制造商: on semiconductor
包装： 8SOIC N
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 40 V
最大连续漏极电流： 5.8 A
RDS -于： 34@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 15 ns
典型上升时间： 55 ns
典型关闭延迟时间： 30 ns
典型下降时间： 35 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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