型号:  NTZD3154NT1G

功能描述:  MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-563-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  570 mA

Rds On-漏源导通电阻:  550 mOhms, 550 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  1.5 nC, 1.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  280 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.55 mm

长度:  1.6 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  NTZD3154N

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.2 mm

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  1 S, 1 S

下降时间:  8 ns, 8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4 ns, 4 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  16 ns, 16 ns

典型接通延迟时间:  6 ns, 6 ns

单位重量:  3 mg