型号: NXH80B120H2Q0SG
功能描述: IGBT 模块 PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
技术: SiC
产品: IGBT Silicon Carbide Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 103 W
封装 / 箱体: Q0BOOST
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
商标: ON Semiconductor
安装风格: Press Fit
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:金小姐
联系人:林先生
电话:15099905281
联系人:林
Q Q: