型号:  PHT8N06LT.135

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  55V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  80 mOhm @ 5A, 5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  11.2nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  650pF @ 25V

功率 - 最大：  1.8W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：  SC-73

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-223

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  55 V

最大连续漏极电流：  3.5 A

RDS -于：  80@5V mOhm

最大门源电压：  ±13 V

典型导通延迟时间：  10 ns

典型关闭延迟时间：  30 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

最大门源电压：  ±13

包装宽度：  3.7(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1800

最大漏源电压：  55

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  80@5V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SC-73

标准包装名称：  SOT-223

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  6.7(Max)

引脚数：  4

包装高度：  1.7(Max)

最大连续漏极电流：  3.5

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3.5A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  55V

供应商设备封装：  SC-73

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  80 mOhm @ 5A, 5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.8W

标准包装：  4,000

输入电容（Ciss ） @ VDS：  650pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  11.2nC @ 5V

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-7369-1

类别：  Power MOSFET

配置：  Dual Drain, Single

外形尺寸：  6.7 x 3.7 x 1.7mm

身高：  1.7mm

长度：  6.7mm

最大漏源电阻：  0.08 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  1.8 W

最低工作温度：  -55 °C

包装类型：  SC-73

典型栅极电荷@ VGS：  11.2 nC V @ 5

典型输入电容@ VDS：  500 pF V @ 25

宽度：  3.7mm

工厂包装数量：  4000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  +/- 13 V

连续漏极电流：  3.5 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  80 mOhms at 5 V

功率耗散：  1800 mW

封装/外壳：  SOT-223

零件号别名：  /T3 PHT8N06LT

上升时间：  30 ns

漏源击穿电压：  55 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  30 ns

栅源电压（最大值）：  �13 V

漏源导通电阻：  0.08 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  55 V