型号: PMDPB38UNE,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 46 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 4.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 268pF @ 10V
功率 - 最大值： 510mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 6-HUSON（2x2）
其它名称： 568-10757-2934066526115PMDPB38UNE,115-ND
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：翁万吉
Q Q:
联系人：陈先生
电话：18922854955
Q Q:
联系人：王敏斌
电话：13723486584
Q Q:
