型号: PMDPB58UPE,115
功能描述: MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-2020-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 58 mOhms, 58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 950 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 9.5 nC, 9.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.21 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 2 P-Channel
商标: Nexperia
正向跨导 - 最小值: 9 S, 9 S
下降时间: 14 ns, 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns, 15 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 41 ns, 41 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 7 ns
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