型号:  PMDPB58UPE,115

功能描述:  MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-2020-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  58 mOhms, 58 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  950 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  9.5 nC, 9.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.21 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

晶体管类型:  2 P-Channel

商标:  Nexperia

正向跨导 - 最小值:  9 S, 9 S

下降时间:  14 ns, 14 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns, 15 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  41 ns, 41 ns

典型接通延迟时间:  7 ns, 7 ns