型号:  PMGD8000LN

功能描述:   MOSFET, DUAL, NN, SOT-363

制造商:  NXP

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :125mA

Drain Source Voltage Vds：  :30V

On Resistance Rds(on)：  :8ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :4V

Threshold Voltage Vgs：  :1.5V

功耗：  :200mW

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-363

No. of Pins：  :6

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Continuous Drain Current Id, N Channel：  :125mA

Current Id Max：  :125mA

Current Temperature：  :25°C

Drain Source Voltage Vds, N Channel：  :30V

Fall Time tf：  :7ns

Full Power Rating Temperature：  :25°C

Module Configuration：  :Dual

No. of Transistors：  :2

On Resistance Rds(on), N Channel：  :1.8ohm

On State Resistance Max：  :8ohm

工作温度范围：  :-55°C to +150°C

Pulse Current Idm：  :250mA

上升时间：  :7ns

端接类型：  :SMD

关闭时间：  :15ns

开启时间：  :10ns

Voltage Vds Typ：  :30V

Voltage Vgs Rds on Measurement：  :4V

Voltage Vgs th Max：  :1.5V

Weight (kg)：  0.000006

Tariff No.：  85412100