型号: PMN34UP,115
功能描述:
制造商: Nexperia
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 23nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1950pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 540mW（Ta），6.25W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 40 毫欧 @ 2.4A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74，SOT-457
封装形式Package： TSOP
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 5A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨经理
电话：15371499151
Q Q:
联系人：张先生
电话：13773124371
Q Q:
联系人：曾先生
电话：18002563597
Q Q:
