型号: PNMT20V3
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
制造商: Prisemi 芯导
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3A
栅源极阈值电压: 1.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 60mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.25W
类型: N沟道
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