QPD1000规格参数_QPD1000全国代理商/分销商

型号: QPD1000
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 19 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 28 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 100 V
Id-连续漏极电流: 817 mA
输出功率: 24 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 28.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-8
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 30 MHz to 1.215 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
系列: QPD
商标: Qorvo
开发套件: QPD1000PCB401, QPD1000PCB402
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.8 V
零件号别名: 1131140