型号: QPD2194SR
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 19.1 dB
晶体管极性: N-Channel
输出功率: 371 W
最大漏极/栅极电压: 55 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI400-2
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1.8 GHz to 2.2 GHz
商标: Qorvo
开发套件: QPD2194PCB4B01
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
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