型号: QPD2731SR
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制： 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 16.3 dB
晶体管极性: N-Channel
输出功率: 316 W
最大漏极/栅极电压: 55 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI780-4
封装: Reel
配置: Dual
工作频率: 2.5 GHz to 2.7 GHz
商标: Qorvo
开发套件: QPD2731EVB1.0
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
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