型号: QPD2730
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 16 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 48 V
Id-连续漏极电流: 210 mA
输出功率: 36 W
最大漏极/栅极电压: 55 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 18.6 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI780-4
封装: Waffle
配置: Dual
工作频率: 2.575 GHz to 2.635 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
系列: QPD
商标: Qorvo
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.7 V, - 4.75 V
零件号别名: 1131813
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