型号: R6012ANX
功能描述:
制造商: ROHM Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 35nC
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1300pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 420 毫欧 @ 6A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220FM
封装/外壳： TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：耿彪
电话：010-83276320
Q Q:
联系人：贾敏
电话：15338888199
Q Q:
联系人：陈生
Q Q:
