型号: RJH60A01RDPD-A0#J2
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 10A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.3V @ 15V,5A
功率 - 最大值: 29.4W
开关能量: 130µJ(开),70µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 11nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/40ns
测试条件: 300V,5A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 100ns
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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