型号: RJK60S5DPE-00#J3
功能描述: MOSFET N-CH 600V 20A LDPAK
制造商: Renesas Electronics America
特色产品： SuperJunction (SJ) MOSFETs
PCN Obsolescence： Multiple Devices 15/Aug/2013
标准包装： 1
类别： 分立式导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 剪切带 (CT)
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 超级结
漏源极电压 (Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 20A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 178 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 1600pF @ 25V
功率 - 最大值： 125W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-83
供应商器件封装： 4-LDPAK
其它名称： RJK60S5DPE-00#J3CT
ROHS： 无铅
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