型号: RJM0306JSP-01#J0
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET 功能： 逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 65 毫欧 @ 2A，10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 290pF @ 10V
功率 - 最大值： 2.2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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