型号: RJP65T43DPM-00#T1
功能描述: IGBT 650V 40A TO3PFM
制造商: Renesas Electronics
最大连续集电极电流： 40 A
最大集电极-发射极电压： 650 V
最大栅极发射极电压： ±30V
最大功率耗散： 68.8 W
封装类型： TO-3PFM
安装类型： 通孔
通道类型： N
引脚数目： 3+Tab
晶体管配置： 单
长度： 15.6mm
宽度： 5.5mm
高度： 19.9mm
尺寸： 15.6 x 5.5 x 19.9mm
栅极电容： 1550pF
最高工作温度： +175 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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