型号: RN1110MFV(TL3,T)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 8,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）： 4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 @ 1mA，5V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁： -
功率 - 最大值： 150mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-723
供应商器件封装： VESM
其它名称： RN1110MFV(TL3T)TRRN1110MFVTL3T
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：余亮
电话：15817462164
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：汪小姐
电话：13826552025
Q Q:
联系人：聂小梅
电话：13560767759
Q Q:
