型号: ROHUS6J2TR
功能描述: Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin TUMT T/R
制造商: rohm semiconductor
包装： 6TUMT
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 1 A
RDS -于： 390@4.5V mOhm
最大门源电压： ±12 V
典型导通延迟时间： 9 ns
典型上升时间： 8 ns
典型关闭延迟时间： 25 ns
典型下降时间： 10 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：岳先生
电话：13923765194
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：胡先生
电话：13715371551
Q Q:
联系人：毛先生
电话：13538178662
Q Q:
联系人：吴勇军
电话：18344483665
Q Q:
