型号: ROHUS6J2TR
功能描述: Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin TUMT T/R
制造商: rohm semiconductor
包装： 6TUMT
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 1 A
RDS -于： 390@4.5V mOhm
最大门源电压： ±12 V
典型导通延迟时间： 9 ns
典型上升时间： 8 ns
典型关闭延迟时间： 25 ns
典型下降时间： 10 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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