型号:  RQ3E120GNTB

功能描述:  MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  HSMT-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  12 A

Rds On-漏源导通电阻:  8.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  10 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Single

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  10 S

下降时间:  3.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4.5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25.5 ns

典型接通延迟时间:  9.6 ns

零件号别名:  RQ3E120GN